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產(chǎn)品分類(lèi)

模塊測(cè)試

IGBT模塊的散熱技術(shù)發(fā)展 IGBT模塊散熱技術(shù) 散熱的過(guò)程1IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗;2結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到IGBT模塊殼上; 點(diǎn)擊詳情
面向汽車(chē)應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問(wèn)題和故障模式進(jìn)行了探討。各種工業(yè)應(yīng)... 點(diǎn)擊詳情
西門(mén)康IGBT模塊在使用中的注意事項(xiàng) 西門(mén)康IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模塊化產(chǎn)品，一... 點(diǎn)擊詳情
什么是igbt IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低... 點(diǎn)擊詳情
富士IGBT模塊在富士IGBT模塊的使用過(guò)程中，有時(shí)候需要將兩塊IGBT模塊進(jìn)行并聯(lián)操作，那么這樣做有什么好處呢，接下來(lái)小編簡(jiǎn)單為大家介紹一下。1、降成本的需求。以?xún)牲c(diǎn)平為例，直接購(gòu)買(mǎi)成品模塊固然可提高產(chǎn)品穩(wěn)定性，但是相應(yīng)的成本增加不是一般公司能承受的，使用多模塊并聯(lián)可明顯降低成本。一... 點(diǎn)擊詳情
IGBT自主**促進(jìn)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)智能化發(fā)展核心提示：功率半導(dǎo)體的發(fā)展始于20世紀(jì)50年代，目前已經(jīng)發(fā)展到了第四代，IGBT作為目前廣泛采用的第三代功率半導(dǎo)體核心器件，具備處理大功率功率半導(dǎo)體的發(fā)展始于20世紀(jì)50年代，目前已經(jīng)發(fā)展到了第四代，IGBT作為目前廣泛采用的第三代功率半導(dǎo)體核心器件，具備處理大功率能... 點(diǎn)擊詳情
高壓IGBT變頻器的特點(diǎn)及應(yīng)用變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟起來(lái)，原來(lái)一直難于解決的高壓?jiǎn)栴}，近年來(lái)通過(guò)器件串聯(lián)或單元串聯(lián)得到了很好的解決。其應(yīng)用的領(lǐng)域和范圍也越來(lái)越為廣范，這使... 點(diǎn)擊詳情

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