**IGBT技術(shù),優(yōu)化變頻器設(shè)計(jì)
全球?qū)τ诠?jié)能和綠色能源的需求使得馬達(dá)變頻驅(qū)動(dòng)在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域不斷增長,甚至還擴(kuò)展到民用產(chǎn)品和汽車領(lǐng)域。因此在過去幾年,市場對變頻器的需求量和相應(yīng)的產(chǎn)量一直在持續(xù)增長。隨著產(chǎn)量的不斷擴(kuò)大和技術(shù)趨向成熟,變頻器市場競爭也日益激烈,對產(chǎn)品性價(jià)比的要求不斷提高。
標(biāo)準(zhǔn)的三相交流驅(qū)動(dòng)變頻器使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 來實(shí)現(xiàn)主電路中的6個(gè)開關(guān),現(xiàn)在除少量小功率、低成本變頻器采用分立IGBT器件外,一般工業(yè)變頻器均采用模塊化IGBT(包括IPM)。模塊化概念為用戶提供了一個(gè)采用絕緣封裝且經(jīng)過檢驗(yàn)的功率開關(guān)組件,從而減輕了設(shè)計(jì)工作量,改進(jìn)系統(tǒng)性能,并提高了變頻器的功率等級(jí)。
但即便使用IGBT模塊,設(shè)計(jì)上的挑戰(zhàn)依然存在。由于IGBT模塊的惡劣工作條件(在高壓和高溫下對大電流進(jìn)行開關(guān)控制)和半導(dǎo)體器件固有弱點(diǎn),設(shè)計(jì)工程師必須在確保IGBT模塊能夠**工作的同時(shí),發(fā)揮其*大性能以實(shí)現(xiàn)低成本設(shè)計(jì)。
本文將首先陳述變頻器設(shè)計(jì)工程師所面臨的主要挑戰(zhàn),然后介紹來自英飛凌科技的**IGBT芯片和封裝技術(shù)及支持工具,并簡要陳述這些解決方案的優(yōu)點(diǎn)。
變頻器設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)
IGBT能夠**運(yùn)行是應(yīng)用的首要要求。**運(yùn)行有兩個(gè)基本的條件,超越這兩個(gè)條件運(yùn)行可引起器件的長久性損壞,這兩個(gè)條件分別是:
1) Vce ≤ Vces,其中Vce是集電極-發(fā)射極瞬態(tài)電壓,Vces是IGBT芯片的阻斷電壓(數(shù)據(jù)表上規(guī)定為600V/1200V/1700V/3.3kV/6.5kV)
2) Tj ≤ Tvj,op,max,其中Tj是IGBT芯片的瞬時(shí)結(jié)溫,Tvj,op,max(數(shù)據(jù)表上規(guī)定為125℃或150℃)是進(jìn)行開關(guān)工作時(shí)所允許的*大結(jié)溫
要在應(yīng)用中遵循這兩個(gè)條件,必須先理解Vce和Tj是如何建立的。
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