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富士IGBT的工作特性介紹 IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當前市場上銷售的多為此類模... 點擊詳情
開關電源簡介開關電源簡介開關電源不同于線性電源，開關電源利用的切換晶體管多半是在全開模式（飽和區(qū)）及全閉模式（截止區(qū)）之間切換，這兩個模式都有低耗散的特點，切換之間的轉換會有較高的耗散，但時間很短，因此比較節(jié)省能源，產生廢熱較少。理想上，開關電源本身是不會消耗電能的。電壓穩(wěn)壓是透過... 點擊詳情
電源模塊的應用及電流的選擇電源模塊是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應器，其特點是可為專用集成電路(ASIC)、數字信號處理器(DSP)、微處理器、存儲器、現場可編程門陣列(FPGA)及其他數字或模擬負載提供供電。一般來說，這類模塊稱為負載(POL)電源供應系統(tǒng)或使用點電源供應系統(tǒng)(PUP... 點擊詳情
IGBT模塊的散熱技術發(fā)展 IGBT模塊散熱技術散熱的過程1IGBT在結上發(fā)生功率損耗;2結上的溫度傳導到IGBT模塊殼上; 點擊詳情
富士功率模塊選型簡介富士功率模塊選型簡介一、PIM模塊點擊詳情
CM200DU-24H三菱IGBT模塊適用于哪些地方 CM200DU-24H三菱IGBT模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOS... 點擊詳情
第六代1200V槽柵FS-IGBT模塊摘要：近幾年來，主要用于電能控制與變換的電力電子學迅速地擴展了它的應用領域。市場對于*新的電能變換系統(tǒng)的要求主要集中在：尺寸小、重量輕以及效率高。因此，就要求功率半導體技術要在獲得更高性能、更先進功能以及更大功率處理能力等方面有所進步。系統(tǒng)縮小尺寸的解決方案之一是使用i... 點擊詳情
新型復合電力電子器件——IGBT模塊 IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,它是八十年代初誕生，九十年代迅速發(fā)展起來的新型復合電力電子器件。IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。鑒于IGBT的參數特性，目前IGBT主要應用在電機、變換器（逆變器）、變頻器、UPS、E... 點擊詳情
IGBT的市場現狀分析 IGBT的應用及設計作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。在工業(yè)應用方面，如交通控制、功率變換、工業(yè)電機、不間斷電源、風電與太陽能設備，以及用于自動控制的變頻器。在消費電子方面，IGBT用于... 點擊詳情
西門子Sinamics V20變頻器新增適用于大功率應用場合的全新模塊西門子SinamicsV20變頻器新增全新E尺寸模塊，其*大功率為30kW; 點擊詳情

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