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預防可控硅元件失控的方法是什么？可控硅勵磁裝置失控的原因是非常多的，經(jīng)常進行維護是減少問題出現(xiàn)的方法，平時的時候一定要對電站進行定期的檢查，同時為了避免設(shè)備失控采取有效地方法，下面就為大家詳細的介紹一下預防可控硅元件失控的方法是什么？主要有下面五個方面。①三相觸發(fā)器輸出脈沖寬度、幅值以及相位正常，要是... 點擊詳情
面向汽車應用的IGBT功率模塊淺談諸如高環(huán)境溫度、暴露于機械沖擊以及特定的驅(qū)動循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問題和故障模式進行了探討。各種工業(yè)應... 點擊詳情
西門康IGBT模塊在使用中的注意事項西門康IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一... 點擊詳情
什么是igbt IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低... 點擊詳情
IGBT在不間斷電源中的應用 1.引言在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用IGBT成點擊詳情
富士IGBT模塊在富士IGBT模塊的使用過程中，有時候需要將兩塊IGBT模塊進行并聯(lián)操作，那么這樣做有什么好處呢，接下來小編簡單為大家介紹一下。1、降成本的需求。以兩點平為例，直接購買成品模塊固然可提高產(chǎn)品穩(wěn)定性，但是相應的成本增加不是一般公司能承受的，使用多模塊并聯(lián)可明顯降低成本。一... 點擊詳情
IGBT 英飛凌IGBT模塊英飛凌IGBT英飛凌IGBT模塊1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)（P-N-P-N四層組成），其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS（雙擴散形... 點擊詳情
三菱模塊PM100RSE120三菱電梯模塊現(xiàn)貨熱銷北京固力通達機電設(shè)備有限公司現(xiàn)貨熱銷產(chǎn)品PM100RSE120PM150RSE120PM600HSA120PM800HSA120 PM300RLA120PM300CLA120 PM450CLA060PM600CLA060PM200CLA120PM200CLA060PM1... 點擊詳情
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