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英飛凌IGBT模塊

西門(mén)子Sinamics V20變頻器新增適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)合的全新模塊西門(mén)子SinamicsV20變頻器新增全新E尺寸模塊，其*大功率為30kW; 點(diǎn)擊詳情
IGBT在不間斷電源中的應(yīng)用 1.引言在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT成點(diǎn)擊詳情
IGBT 英飛凌IGBT模塊英飛凌IGBT英飛凌IGBT模塊1979年，MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類(lèi)晶閘管的結(jié)構(gòu)（P-N-P-N四層組成），其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS（雙擴(kuò)散形... 點(diǎn)擊詳情
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英飛凌BSM75GB120DN2原裝IGBT模塊英飛凌/SIEMENSBSM75GB120DN2原裝IGBT模塊型號(hào)：BSM75GB120DN2廠家：英飛凌BSM75GB120DN2特性：?半橋?包括快速返并聯(lián)二極管?絕緣金屬底板包裝?開(kāi)關(guān)頻率在10-20KHZ 點(diǎn)擊詳情
原裝BSM100GB120DLC BSM100GB120DLCK IGBT模塊*新到貨原裝BSM100GB120DLCBSM100GB120DLCKIGBT模塊*新到貨型號(hào):BSM100GB120DLCBSM100GB120DLCK廠家:EUPEC/英飛凌電壓:1200V飽和壓降:2.1V兩單元點(diǎn)擊詳情
英飛凌原裝FF800R17KE3 FZ800R33KF2C 大功率高耐壓IGBT模塊 EUPEC原裝FF800R17KE3FZ800R33KF2C大功率高耐壓IGBT模塊型號(hào):FF800R17KE3FZ800R33KF2C廠家:EUPEC/英飛凌電流:800A電壓:1700V/3300V封裝及工藝:IGBT 運(yùn)用這個(gè)全新的模塊，用戶可設(shè)計(jì)出能夠... 點(diǎn)擊詳情
供應(yīng)原裝BSM150GT120DN2 IGBT功率模塊供應(yīng)原裝BSM150GT120DN2 IGBT功率模塊型號(hào):BSM150GT120DN2廠家:英飛凌/SIEMENS電壓:1200V想了解更多詳情，歡迎來(lái)電咨詢!BSM150GT120DN2 IGBT功率模塊:焊電源模塊三相全橋包括快速二極管絕緣金屬底板包裝隨... 點(diǎn)擊詳情

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